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Figure 11. DC Current Derating Curve
ISL9R30120G2 — STEALTH? Diode
Figure 7. Reverse Recovery Softness Factor vs
dIF/dt
Figure 8. Reverse Recovery Charge vs dIF/dt
Figure 9. Junction Capacitance vs Reverse Voltage
Figure 10. Maximum Reverse Recovery Current
and trr
vs
Case
Temperature
Typical Performance Curves(Continued)
dIF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
S
, REVERSE RECOVERY SOFTNESS FACTOR
3
4
5
6
7
8
9
200
400 600 800 1000 1200
VR
=
780V, T
C
= 1
25oC
IF
=
15A
IF
=
30A
IF
=
60A
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.6
200 400 600 800 1000 1200
dIF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
Q
RR
, RE
VERSE RECOVERED CHARGE (μC)
VR
=
780V, T
C
= 1
25oC
6.0
IF
=
15A
IF
=
30A
IF
=
60A
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
C
J
, J
UNCTION CAPACITANCE (pF)
0
200
400
600
800
1000
1200
0.1
1
10
100
0.03
1400
1600
f =
1MH
Z
t
, RECOVERY TIMES (ns)
-22
-20
-18
-16
-14
25 50 75 100 125 150
200
250
300
350
400
IF
= 3
0A, VR =
780V, dI
F
/dt
= 500A/μs
TC,
CASE TEMPERATURE (
oC)
I
R
M(REC)
, M
AX REVERSE RECOVERY CURRENT (A)
IRM(REC)
tRR
?2002
Fairchild
Semiconductor Corporation
ISL9R30120G2
Rev.
C2
www.fairchildsemi.com
4
25
50 75 100 125 150 175o
C]
0
20
40
60
80
A
verage Forward Current, I
F(A
V)
[A
]
Case temperature, TC
[
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